Salutan sputtering Magnetron adalah kaedah salutan wap fizikal yang baru, berbanding dengan kaedah salutan penyejatan yang lebih awal, kelebihannya dalam banyak aspek agak luar biasa.Sebagai teknologi matang, magnetron sputtering telah digunakan dalam banyak bidang.
Prinsip sputtering magnetron:
Medan magnet ortogonal dan medan elektrik ditambah di antara kutub sasaran yang terbantut (katod) dan anod, dan gas lengai yang diperlukan (biasanya gas Ar) diisi dalam ruang vakum tinggi.Magnet kekal membentuk medan magnet 250-350 gaus pada permukaan bahan sasaran, dan medan elektromagnet ortogonal terdiri dengan medan elektrik voltan tinggi.Di bawah kesan medan elektrik, pengionan gas Ar menjadi ion positif dan elektron, sasaran dan mempunyai tekanan negatif tertentu, dari sasaran dari kutub oleh kesan medan magnet dan peningkatan kebarangkalian pengionan gas kerja, membentuk plasma ketumpatan tinggi berhampiran katod, Ar ion di bawah tindakan daya lorentz, mempercepatkan untuk terbang ke permukaan sasaran, mengebom permukaan sasaran pada kelajuan tinggi, Atom yang terpercik pada sasaran mengikut prinsip penukaran momentum dan terbang menjauhi permukaan sasaran dengan kinetik tinggi tenaga kepada filem pemendapan substrat.
Sputtering magnetron secara amnya dibahagikan kepada dua jenis: sputtering DC dan sputtering RF.Prinsip peralatan sputtering DC adalah mudah, dan kadarnya adalah pantas apabila logam sputtering.Penggunaan sputtering RF adalah lebih meluas, sebagai tambahan kepada sputtering bahan konduktif, tetapi juga sputtering bahan bukan konduktif, tetapi juga reaktif sputtering penyediaan oksida, nitrida dan karbida dan bahan kompaun lain.Jika kekerapan RF meningkat, ia menjadi gelombang mikro plasma sputtering.Pada masa ini, sputtering plasma gelombang mikro jenis elektron cyclotron resonance (ECR) biasanya digunakan.
Bahan sasaran salutan sputtering magnetron:
Bahan sasaran sputtering logam, bahan salutan sputtering aloi salutan, bahan salut sputtering seramik, bahan sasaran sputtering seramik boride, bahan sasaran sputtering seramik karbida, bahan sasaran sputtering seramik fluorida, bahan sasaran sputtering seramik nitrida, sasaran seramik oksida, bahan sasaran selenide, selenide target bahan sasaran sputtering seramik silicide, bahan sasaran sputtering seramik sulfida, sasaran sputtering seramik Telluride, sasaran seramik lain, sasaran seramik silikon oksida doped kromium (CR-SiO), sasaran indium phosphide (InP), sasaran arsenide plumbum (PbAs), indium arsenide sasaran (InAs).
Masa siaran: Ogos-03-2022