Polysilicon adalah bahan sasaran sputtering yang penting.Menggunakan kaedah sputtering magnetron untuk menyediakan SiO2 dan filem nipis lain boleh menjadikan bahan matriks mempunyai rintangan optik, dielektrik dan kakisan yang lebih baik, yang digunakan secara meluas dalam industri skrin sentuh, optik dan lain-lain.
Proses penuangan kristal panjang adalah untuk merealisasikan pemejalan arah silikon cecair dari bawah ke atas secara beransur-ansur dengan mengawal suhu pemanas dengan tepat dalam medan panas relau jongkong dan pelesapan haba bahan penebat haba, dan kelajuan kristal panjang pemejalan ialah 0.8~1.2cm/j.Pada masa yang sama, dalam proses pemejalan berarah, kesan pengasingan unsur logam dalam bahan silikon dapat direalisasikan, kebanyakan unsur logam boleh disucikan, dan struktur butiran silikon polihablur yang seragam boleh dibentuk.
Casting polysilicon juga perlu didop secara sengaja dalam proses pengeluaran, untuk menukar kepekatan kekotoran penerima dalam cair silikon.Dopan utama bagi polysilicon tuang jenis p dalam industri ialah aloi induk boron silikon, di mana kandungan boron adalah kira-kira 0.025%.Jumlah doping ditentukan oleh kerintangan sasaran wafer silikon.Rintangan optimum ialah 0.02 ~ 0.05 Ω • cm, dan kepekatan boron yang sepadan adalah kira-kira 2 × 1014cm-3。 Walau bagaimanapun, pekali pengasingan boron dalam silikon ialah 0.8, yang akan menunjukkan kesan pengasingan tertentu dalam proses pemejalan arah, yang ialah, unsur boron diedarkan dalam kecerunan dalam arah menegak jongkong, dan rintangan secara beransur-ansur berkurangan dari bahagian bawah ke bahagian atas jongkong.
Masa siaran: Jul-26-2022