Seperti yang kita sedia maklum, kaedah yang biasa digunakan dalam salutan vakum ialah transpirasi vakum dan percikan ion.Apakah perbezaan antara salutan transpirasi dan salutan sputtering Banyakorang ramai mempunyai soalan seperti itu.Mari kongsikan dengan anda perbezaan antara salutan transpirasi dan salutan sputtering
Filem transpirasi vakum adalah untuk memanaskan data untuk menjadi transpirasi kepada suhu tetap dengan cara pemanasan rintangan atau pancaran elektron dan peluru laser dalam persekitaran dengan darjah vakum tidak kurang daripada 10-2Pa, supaya tenaga getaran haba molekul atau atom dalam data melebihi tenaga pengikatan permukaan, sehingga banyak molekul atau atom transpirasi atau meningkat, dan secara langsung mendepositkannya pada substrat untuk membentuk sebuah filem.Salutan sputtering ion menggunakan pergerakan remonstrance tinggi ion positif yang dihasilkan oleh pelepasan gas di bawah kesan medan elektrik untuk membedil sasaran sebagai katod, supaya atom atau molekul dalam sasaran melarikan diri dan memendap pada permukaan bahan kerja bersalut untuk membentuk filem yang diperlukan.
Kaedah salutan transpirasi vakum yang paling biasa digunakan ialah kaedah pemanasan rintangan.Kelebihannya ialah struktur mudah sumber pemanasan, kos rendah dan operasi yang mudah.Kelemahannya ialah ia tidak sesuai untuk logam refraktori dan media tahan suhu tinggi.Pemanasan rasuk elektron dan pemanasan laser boleh mengatasi kelemahan pemanasan rintangan.Dalam pemanasan rasuk elektron, rasuk elektron terfokus digunakan untuk terus memanaskan data bercengkerang, dan tenaga kinetik rasuk elektron menjadi tenaga haba untuk membuat transpirasi data.Pemanasan laser menggunakan laser berkuasa tinggi sebagai sumber pemanasan, tetapi disebabkan kos laser berkuasa tinggi yang tinggi, ia hanya boleh digunakan dalam sebilangan kecil makmal penyelidikan.
Kemahiran sputtering berbeza dengan kemahiran transpirasi vakum.Sputtering merujuk kepada fenomena bahawa zarah bercas membombardir kembali ke permukaan (sasaran) badan, supaya atom atau molekul pepejal dipancarkan dari permukaan.Kebanyakan zarah yang dipancarkan adalah atom, yang sering dipanggil atom terpercik.Zarah terpercik yang digunakan untuk membedil sasaran boleh menjadi elektron, ion atau zarah neutral.Kerana ion mudah untuk mendapatkan tenaga kinetik yang diperlukan di bawah medan elektrik, ion kebanyakannya dipilih sebagai zarah pencerahan.
Proses sputtering adalah berdasarkan pelepasan cahaya, iaitu, ion sputtering berasal dari pelepasan gas.Kemahiran sputtering yang berbeza mempunyai kaedah pelepasan cahaya yang berbeza.Sputtering diod DC menggunakan nyahcas cahaya DC;Triod sputtering ialah nyahcas cahaya yang disokong oleh katod panas;RF sputtering menggunakan nyahcas cahaya RF;Magnetron sputtering ialah nyahcas cahaya yang dikawal oleh medan magnet anulus.
Berbanding dengan salutan transpirasi vakum, salutan sputtering mempunyai banyak kelebihan.Jika sebarang bahan boleh terpercik, terutamanya unsur dan sebatian dengan takat lebur tinggi dan tekanan wap rendah;Lekatan antara filem tergagap dan substrat adalah baik;Ketumpatan filem tinggi;Ketebalan filem boleh dikawal dan kebolehulangan adalah baik.Kelemahannya ialah peralatan itu kompleks dan memerlukan peranti voltan tinggi.
Selain itu, gabungan kaedah transpirasi dan kaedah sputtering adalah penyaduran ion.Kelebihan kaedah ini ialah lekatan yang kuat antara filem dan substrat, kadar pemendapan tinggi dan ketumpatan tinggi filem.
Masa siaran: Mei-09-2022