Baru-baru ini, ramai rakan bertanya tentang ciri-ciri sasaran sputtering molibdenum.Dalam industri elektronik, untuk meningkatkan kecekapan sputtering dan memastikan kualiti filem yang didepositkan, apakah keperluan untuk ciri-ciri sasaran sputtering molibdenum?Kini pakar teknikal dari RSM akan menerangkannya kepada kami.
1. Kesucian
Ketulenan tinggi adalah keperluan ciri asas sasaran sputtering molibdenum.Lebih tinggi ketulenan sasaran molibdenum, lebih baik prestasi filem tergagap.Secara amnya, ketulenan sasaran sputtering molibdenum hendaklah sekurang-kurangnya 99.95% (pecahan jisim, sama di bawah).Walau bagaimanapun, dengan peningkatan berterusan saiz substrat kaca dalam industri LCD, panjang pendawaian diperlukan untuk dilanjutkan dan lebar garisan diperlukan untuk menjadi lebih nipis.Untuk memastikan keseragaman filem dan kualiti pendawaian, ketulenan sasaran sputtering molibdenum juga perlu ditingkatkan dengan sewajarnya.Oleh itu, mengikut saiz substrat kaca sputtered dan persekitaran penggunaan, ketulenan sasaran sputtering molibdenum diperlukan untuk 99.99% - 99.999% atau lebih tinggi.
Sasaran sputtering molibdenum digunakan sebagai sumber katod dalam sputtering.Kekotoran dalam pepejal dan oksigen dan wap air dalam liang adalah sumber pencemaran utama filem termendap.Di samping itu, dalam industri elektronik, kerana ion logam alkali (Na, K) mudah menjadi ion mudah alih dalam lapisan penebat, prestasi peranti asal dikurangkan;Unsur-unsur seperti uranium (U) dan titanium (TI) akan dikeluarkan α X-ray, mengakibatkan kerosakan lembut peranti;Ion besi dan nikel akan menyebabkan kebocoran antara muka dan peningkatan unsur oksigen.Oleh itu, dalam proses penyediaan sasaran sputtering molibdenum, unsur-unsur kekotoran ini perlu dikawal dengan ketat untuk meminimumkan kandungannya dalam sasaran.
2. Saiz bijirin dan taburan saiz
Secara amnya, sasaran sputtering molibdenum adalah struktur polihablur, dan saiz butiran boleh berkisar dari mikron hingga milimeter.Keputusan eksperimen menunjukkan bahawa kadar sputtering sasaran butiran halus adalah lebih cepat daripada sasaran butiran kasar;Bagi sasaran dengan perbezaan saiz butiran yang kecil, taburan ketebalan filem yang didepositkan juga lebih seragam.
3. Orientasi kristal
Oleh kerana atom sasaran adalah mudah untuk disembur secara keutamaan mengikut arah susunan atom yang paling hampir dalam arah heksagon semasa sputtering, untuk mencapai kadar sputtering tertinggi, kadar sputtering sering ditingkatkan dengan menukar struktur kristal sasaran.Arah kristal sasaran juga mempunyai pengaruh yang besar terhadap keseragaman ketebalan filem terpercik.Oleh itu, adalah sangat penting untuk mendapatkan struktur sasaran berorientasikan kristal tertentu untuk proses sputtering filem.
4. Ketumpatan
Dalam proses salutan sputtering, apabila sasaran sputtering dengan ketumpatan rendah dibombardir, gas yang ada di dalam liang dalaman sasaran secara tiba-tiba dilepaskan, mengakibatkan percikan zarah atau zarah sasaran bersaiz besar, atau bahan filem dibombardir oleh elektron sekunder selepas pembentukan filem, mengakibatkan percikan zarah.Kemunculan zarah ini akan mengurangkan kualiti filem.Untuk mengurangkan pori-pori dalam pepejal sasaran dan meningkatkan prestasi filem, sasaran sputtering biasanya diperlukan untuk mempunyai ketumpatan tinggi.Untuk sasaran sputtering molibdenum, ketumpatan relatifnya hendaklah lebih daripada 98%.
5. Pengikatan sasaran dan casis
Secara amnya, sasaran sputtering molibdenum mesti disambungkan dengan casis tembaga bebas oksigen (atau aluminium dan bahan lain) sebelum sputtering, supaya kekonduksian terma sasaran dan casis adalah baik semasa proses sputtering.Selepas mengikat, pemeriksaan ultrasonik mesti dijalankan untuk memastikan bahawa kawasan bukan ikatan kedua-duanya adalah kurang daripada 2%, untuk memenuhi keperluan sputtering kuasa tinggi tanpa jatuh.
Masa siaran: Jul-19-2022