Seperti yang kita sedia maklum, trend pembangunan teknologi bahan sasaran berkait rapat dengan aliran pembangunan teknologi filem dalam industri aplikasi hiliran.Dengan peningkatan teknologi produk atau komponen filem dalam industri aplikasi, teknologi sasaran juga harus berubah.Sebagai contoh, pengeluar Ic baru-baru ini memberi tumpuan kepada pembangunan pendawaian tembaga kerintangan rendah, yang dijangka akan menggantikan filem aluminium asal dengan ketara dalam beberapa tahun akan datang, jadi pembangunan sasaran tembaga dan sasaran penghalang yang diperlukan akan menjadi segera.
Di samping itu, dalam beberapa tahun kebelakangan ini, paparan panel rata (FPD) telah banyak menggantikan paparan komputer dan pasaran televisyen berasaskan tiub sinar katod (CRT).Ia juga akan meningkatkan permintaan teknikal dan pasaran untuk sasaran ITO.Dan kemudian ada teknologi penyimpanan.Permintaan untuk cakera keras berketumpatan tinggi, berkapasiti besar dan cakera boleh padam berketumpatan tinggi terus meningkat.Semua ini telah membawa kepada perubahan dalam permintaan bahan sasaran dalam industri aplikasi.Dalam perkara berikut, kami akan memperkenalkan bidang aplikasi utama sasaran dan arah aliran pembangunan sasaran dalam bidang ini.
1. Mikroelektronik
Dalam semua industri aplikasi, industri semikonduktor mempunyai keperluan kualiti yang paling ketat untuk filem sputtering sasaran.Wafer silikon 12 inci (300 epistaksis) kini telah dihasilkan.Lebar sambungan semakin berkurangan.Keperluan pengeluar wafer silikon untuk bahan sasaran adalah berskala besar, ketulenan tinggi, pengasingan rendah dan butiran halus, yang memerlukan bahan sasaran mempunyai struktur mikro yang lebih baik.Diameter zarah kristal dan keseragaman bahan sasaran telah dianggap sebagai faktor utama yang mempengaruhi kadar pemendapan filem.
Berbanding dengan aluminium, tembaga mempunyai rintangan elektromobiliti yang lebih tinggi dan kerintangan yang lebih rendah, yang boleh memenuhi keperluan teknologi konduktor dalam pendawaian submikron di bawah 0.25um, tetapi ia membawa masalah lain: kekuatan lekatan yang rendah antara tembaga dan bahan sederhana organik.Lebih-lebih lagi, ia adalah mudah untuk bertindak balas, yang membawa kepada kakisan sambung tembaga dan kerosakan litar semasa penggunaan cip.Untuk menyelesaikan masalah ini, lapisan penghalang harus ditetapkan antara kuprum dan lapisan dielektrik.
Bahan sasaran yang digunakan dalam lapisan penghalang sambung kuprum termasuk Ta, W, TaSi, WSi, dll. Tetapi Ta dan W adalah logam refraktori.Ia agak sukar untuk dibuat, dan aloi seperti molibdenum dan kromium sedang dikaji sebagai bahan alternatif.
2. Untuk paparan
Paparan panel rata (FPD) telah banyak memberi kesan kepada monitor komputer dan pasaran televisyen berasaskan tiub sinar katod (CRT) selama ini, dan juga akan memacu teknologi dan permintaan pasaran untuk bahan sasaran ITO.Terdapat dua jenis sasaran ITO hari ini.Satu ialah menggunakan keadaan nanometer indium oksida dan serbuk oksida timah selepas pensinteran, yang lain adalah menggunakan sasaran aloi timah indium.Filem ITO boleh dibuat oleh sputtering reaktif DC pada sasaran aloi indium-tin, tetapi permukaan sasaran akan teroksida dan menjejaskan kadar sputtering, dan sukar untuk mendapatkan sasaran aloi saiz besar.
Pada masa kini, kaedah pertama secara amnya digunakan untuk menghasilkan bahan sasaran ITO, iaitu salutan sputtering oleh tindak balas sputtering magnetron.Ia mempunyai kadar pemendapan yang cepat.Ketebalan filem boleh dikawal dengan tepat, kekonduksian adalah tinggi, konsistensi filem adalah baik, dan lekatan substrat adalah kuat.Tetapi bahan sasaran sukar dibuat, kerana indium oksida dan oksida timah tidak mudah disinter bersama.Secara amnya, ZrO2, Bi2O3 dan CeO dipilih sebagai bahan tambahan pensinteran, dan bahan sasaran dengan ketumpatan 93%~98% daripada nilai teori boleh diperolehi.Persembahan filem ITO yang dibentuk dengan cara ini mempunyai hubungan yang baik dengan bahan tambahan.
Kerintangan penyekatan filem ITO yang diperoleh dengan menggunakan bahan sasaran tersebut mencapai 8.1×10n-cm, yang hampir dengan kerintangan filem ITO tulen.Saiz FPD dan kaca konduktif agak besar, dan lebar kaca konduktif juga boleh mencapai 3133mm.Untuk meningkatkan penggunaan bahan sasaran, bahan sasaran ITO dengan bentuk yang berbeza, seperti bentuk silinder, dibangunkan.Pada tahun 2000, Suruhanjaya Perancangan Pembangunan Negara dan Kementerian Sains dan Teknologi memasukkan sasaran besar ITO dalam Garis Panduan Bidang Utama Industri Maklumat Yang Diutamakan untuk Pembangunan.
3. Penggunaan penyimpanan
Dari segi teknologi storan, pembangunan cakera keras berketumpatan tinggi dan berkapasiti besar memerlukan sejumlah besar bahan filem keengganan gergasi.Filem komposit berbilang lapisan CoF~Cu ialah struktur filem keengganan gergasi yang digunakan secara meluas.Bahan sasaran aloi TbFeCo yang diperlukan untuk cakera magnetik masih dalam pembangunan selanjutnya.Cakera magnet yang dihasilkan dengan TbFeCo mempunyai ciri kapasiti storan yang besar, hayat perkhidmatan yang panjang dan kebolehpadaman tanpa sentuhan berulang.
Ingatan perubahan fasa berasaskan germanium telluride antimoni (PCM) menunjukkan potensi komersil yang ketara, menjadi sebahagian daripada memori kilat NOR dan pasaran DRAM sebagai teknologi storan alternatif, bagaimanapun, dalam pelaksanaannya dikurangkan dengan lebih pantas, salah satu cabaran yang wujud adalah kekurangan untuk menetapkan semula. pengeluaran semasa boleh diturunkan lagi unit tertutup sepenuhnya.Mengurangkan arus tetapan semula mengurangkan penggunaan kuasa memori, memanjangkan hayat bateri dan meningkatkan lebar jalur data, semua ciri penting dalam peranti pengguna yang sangat mudah alih yang bertumpu data hari ini.
Masa siaran: Ogos-09-2022