Kepingan Disilisid Molibdenum

Molibdenum Disilisida (MoSi2) adalah bahan calon yang menjanjikan untuk aplikasi struktur suhu tinggi.Ia adalah bahan takat lebur tinggi (2030 °C) dengan rintangan pengoksidaan yang sangat baik dan ketumpatan sederhana (6.24 g/cm3).Ia tidak larut dalam kebanyakan asid, tetapi larut dalam asid nitrik dan asid hidrofluorik.Jejari kedua-dua jenis atom tidak jauh berbeza, keelektronegatifan agak dekat, dan mereka mempunyai sifat yang serupa dengan logam dan seramik.Molibdenum Disilicide bersifat konduktif dan boleh membentuk lapisan pempasifan silikon dioksida pada permukaan pada suhu tinggi untuk mengelakkan pengoksidaan selanjutnya.Ia digunakan dalam bidang bahan salutan anti-pengoksidaan suhu tinggi, elemen pemanasan elektrik, filem elektrod bersepadu, bahan struktur, bahan komposit, bahan tahan haus, bahan penyambung seramik struktur dan bidang lain.

Molibdenum Disilicide boleh digunakan dalam pelbagai industri: 1) Tenaga dan industri kimia: MoSi2 digunakan sebagai elemen pemanas elektrik, penukar haba suhu tinggi peranti reaktor atom, penunu gas, termokopel suhu tinggi dan tiub perlindungannya, bekas bekas peleburan. (digunakan untuk peleburan natrium, litium, plumbum, bismut, timah dan logam lain) .2) Industri mikroelektronik: MoSi2 dan Silicide logam refraktori lain Ti5Si3, WSi2, TaSi2, dan lain-lain adalah calon penting untuk pintu litar bersepadu berskala besar dan interkoneksi.3) Industri aeroangkasa: MoSi2 sebagai bahan salutan anti-pengoksidaan suhu tinggi, terutamanya sebagai bahan untuk komponen enjin turbin, seperti bilah, pendesak, ruang pembakaran, muncung dan peranti pengedap, telah dilakukan secara meluas dan mendalam Penyelidikan dan aplikasi .4) Industri automobil: Molibdenum Disilicide MoSi2 digunakan dalam pemutar pengecas turbo kereta, badan injap, palam pencucuh dan bahagian enjin.

Bahan Khas Kaya pakar dalam Pembuatan Sasaran Sputtering dan boleh menghasilkan kepingan Molibdenum Disilisida mengikut spesifikasi Pelanggan.Untuk maklumat lanjut, sila hubungi kami.